Microstructure and Optoelectronics Characterizations of GaxSb1-x/GaAs
Jalaukhan Ali, Alias Maysoon, Al-Lamy Hussein

Наверх
Обратно
8 800 250-06-18
Менюx
КорзинаАвторизоватьсяНаши магазиныПомощь
Моя корзина: нет товаровx
Нет товаров
Оплата и доставка
x
Ваш город: Вудбридж, вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Вам доступны способы оплаты:
  • при получении заказа
  • предоплата RBK: банковские карты, терминалы оплаты и многое другое
  • банковский перевод для физ. лиц
  • банковский перевод для юр. лиц
Авторизоваться
Вудбридж
x
Выбор города

Ваш город: Вудбридж ?

Ваш город: Вудбриджизменить )
Пункты самовывоза
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Вы можете заказать:
Подробнее о технологии 
Экономьте до 30% с бонусными баллами! При покупке вы получите
от 383 баллов
на свой бонусный счёт. Получить баллы и скидку
Вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Способы оплаты

Описание

Developments of narrow gap semiconductor physics have been closely related to the development of the science and technology of infrared optical electronics in which narrow gap semiconductors have played a vital role in detectors and emitters, and other high speed devices. Antimony-based technology is very promising for low voltage millimeter-wave (mm-wave) integrated circuits (ICs), as well as very highspeed, low-power digital ICs. Among the many potential applications are digitally beam-steered phased array receivers, particularly those deployed in space; 80-160 Gbit/s optical communication systems; unmanned reconnaissance vehicles; and mobile, battery-powered systems.
далее Читать
Свернуть
   Читать далее
Год:2015
Страниц:140
ISBN:9783659716645
Формат:22.9cm x 15.2cm x 0.8cm
Код:pod 6056788
Авторы:Alias, Hussein, Jalaukhan, Lamy, Maysoon
Тематика:Физика и математика

Мнения и отзывы

Написать отзыв
 
Авторизуйтесь, чтобы оставить свой отзыв о товаре «Microstructure and Optoelectronics Characterizations of GaxSb1-x/GaAs» Jalaukhan Ali, Alias Maysoon, Al-Lamy Hussein
Содержательный отзыв длиною более 500 символов, который будет принят модератором, принесёт вам 15 баллов для участия в нашей бонусной программе!  
Правила начисления баллов за отзыв
1. Отзыв должен быть уникальным и содержательным;
2. Отзыв не должен содержать нецензурную брань;
3. Отзыв должен относиться к товару, на который он написан;
3.1 Мы не рекомендуем пересказ информации, указанной на странице товара, а также аннотации и содержания;
4. Запрещено в тексте указывать ссылки на сторонние ресурсы, а также адреса электронной почты;
5. Отзыв должен быть написан кириллицей;
6. Запрещено копировать отзывы, мнения и информацию с любых сайтов. Скопированные отзывы могут быть отклонены либо удалены - на усмотрение модератора;
7. Без спойлеров. Не надо рассказывать сюжет книги, многие хотели бы прочитать ее, не зная финала. Если вы всё-таки хотите написать полную историю, то мы будем благодарны, если в начале отзыва вы укажете {Внимание спойлеры};
8. При подсчете количества символов мы не учитываем пробелы, знаки препинания и так далее.

С товаром «Microstructure and Optoelectronics Characterizations of GaxSb1-x/GaAs» часто покупают

x

Если Вы обнаружили ошибку в описании товара «Microstructure and Optoelectronics Characterizations of GaxSb1-x/GaAs» Jalaukhan Ali, Alias Maysoon, Al-Lamy Hussein, выделите её мышкой и нажмите: Ctrl+Enter. Спасибо!

©2006-2018, ООО «Буквоед»
8 800 250-06-18

Спасибо за ваше обращение.
Его номер - .

Ответ будет направлен на указанную почту в ближайшее время.

x
x