Test and Reliability of SRAM Memories
Renan Fonseca

Наверх
Обратно
8 800 250-06-18
Менюx
КорзинаАвторизоватьсяНаши магазиныПомощь
Моя корзина: нет товаровx
Нет товаров
Оплата и доставка
x
Ваш город: Вудбридж, вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Вам доступны способы оплаты:
  • при получении заказа
  • предоплата RBK: банковские карты, терминалы оплаты и многое другое
  • банковский перевод для физ. лиц
  • банковский перевод для юр. лиц
Авторизоваться
Вудбридж
x
Выбор города

Ваш город: Вудбридж ?

Ваш город: Вудбриджизменить )
Пункты самовывоза
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Вы можете заказать:
Подробнее о технологии 
Экономьте до 30% с бонусными баллами! При покупке вы получите
от 452 баллов
на свой бонусный счёт. Получить баллы и скидку
Вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Способы оплаты

Описание

This book considers the following problems in the domain of test and reliability of SRAM memories: optimizing test flow using stress conditions; statistical simulation for very low probabilities; variability analysis of an SRAM test-chip; fault tolerance in random addressed memories. Although the problems considered are all related to SRAM, some solutions found may also be applied in other domains. The Monte-carlo based simulation method described here is a general purpose method. The fault tolerance technique proposed can be used in different kind of memories, and its mathematical formulation can also be applied in other domains like logic synthesis for example. The methodology proposed to optimally set stress conditions during SRAM test can be adapted to any kind of circuit. The author covers SRAM problems and proposes innovative solutions that can be applied or adapted to different contexts.
далее Читать
Свернуть
   Читать далее
Год:2012
Страниц:140
ISBN:9783659124976
Формат:22.9cm x 15.2cm x 0.8cm
Код:pod 6058177
Авторы:Fonseca, Renan
Тематика:Энергетика, промышленность

Мнения и отзывы

Написать отзыв
 
Авторизуйтесь, чтобы оставить свой отзыв о товаре «Test and Reliability of SRAM Memories» Renan Fonseca
Содержательный отзыв длиною более 500 символов, который будет принят модератором, принесёт вам 15 баллов для участия в нашей бонусной программе!  
Правила начисления баллов за отзыв
1. Отзыв должен быть уникальным и содержательным;
2. Отзыв не должен содержать нецензурную брань;
3. Отзыв должен относиться к товару, на который он написан;
3.1 Мы не рекомендуем пересказ информации, указанной на странице товара, а также аннотации и содержания;
4. Запрещено в тексте указывать ссылки на сторонние ресурсы, а также адреса электронной почты;
5. Отзыв должен быть написан кириллицей;
6. Запрещено копировать отзывы, мнения и информацию с любых сайтов. Скопированные отзывы могут быть отклонены либо удалены - на усмотрение модератора;
7. Без спойлеров. Не надо рассказывать сюжет книги, многие хотели бы прочитать ее, не зная финала. Если вы всё-таки хотите написать полную историю, то мы будем благодарны, если в начале отзыва вы укажете {Внимание спойлеры};
8. При подсчете количества символов мы не учитываем пробелы, знаки препинания и так далее.

С товаром «Test and Reliability of SRAM Memories» часто покупают

x

Если Вы обнаружили ошибку в описании товара «Test and Reliability of SRAM Memories» Renan Fonseca, выделите её мышкой и нажмите: Ctrl+Enter. Спасибо!

©2006-2018, ООО «Буквоед»
8 800 250-06-18

Спасибо за ваше обращение.
Его номер - .

Ответ будет направлен на указанную почту в ближайшее время.

x
x