Наверх
Обратно
8 800 250-06-18
Менюx
КорзинаАвторизоватьсяНаши магазиныПомощь
Моя корзина: нет товаровx
Нет товаров
Оплата и доставка
x
Ваш город: Судоверфь, вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Вам доступны способы оплаты:
  • при получении заказа
  • предоплата: банковские карты, терминалы оплаты и многое другое
  • банковский перевод для физ. лиц
  • банковский перевод для юр. лиц
Авторизоваться
Судоверфь
x
Выбор города

Ваш город: Судоверфь ?

Ваш город: Судоверфьизменить )
Пункты самовывоза
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»

Investigation of Electrical Properties Of(p-N) Junction Porous Silicon
Salih Muna, Mohammed Alwan Alwan, Ahmed Naser Mahmoud

Вы можете заказать:
Подробнее о технологии 
Экономьте до 30% с бонусными баллами! При покупке вы получите
от 460 баллов
на свой бонусный счёт. Получить баллы и скидку
Вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Способы оплаты

Описание

Chapter one presents a brief introduction and enunciates the objectives of our investigations also presents a review of the physics of semiconductor nanostructures. chapter two gives details of the etching process,the techniques employed to porous silicon nanostructures,chapter three describes instruments and devices employed in this work.chapter four we have presented the results and discussions of the surface morphology of the reconstructed surfaces etched by photo-electro chemical etching including details The morphological aspects like: pore width, pore shape and wall thickness between two pores of the prepared porous silicon for the abrupt (p-n) junction samples have been studied by using scanning electron microscopy (SEM). These characteristics are strongly dependent on the preparation conditions and the results with discussion of the electrical properties like, current-voltage characteristics and capacitance-voltage characteristics and other studies for sandwich structures, (Al/p-n junction PSi/Al) at room temperature.
далее Читать
Свернуть
   Читать далее
Год:2013
Страниц:140
ISBN:9783659408687
Формат:22.9cm x 15.2cm x 0.8cm
Код:pod 6066932
Авторы:Ahmed, Alwan, Alwan, Mahmoud, Mohammed, Muna, Naser, Salih
Тематика:Химия

Мнения и отзывы

Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы оставить отзыв и получить возможность заработать 15 бонусных баллов в бонусной программе
Оставить отзыв
Спасибо
за отзыв!
Отслеживать статус можно в
«Ваших отзывах».
Оставить отзыв
Investigation of Electrical Properties Of(p-N) Junction Porous Silicon
Investigation of Electrical Properties Of(p-N) Junction Porous Silicon
Salih Muna, Mohammed Alwan Alwan, Ahmed Naser Mahmoud
 
Авторизуйтесь, чтобы оставить свой отзыв о товаре
Общее впечатление
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
0 букв

Отзыв длиной более 500 букв, который будет принят модератором, принесет вам 15 баллов для участия в нашей бонусной программе!

Отзыв должен быть уникальным и содержательным: нельзя копировать отзывы, мнения и информацию с других сайтов.

Не содержать нецензурную брань.

Отзыв должен относиться к товару, на который он написан.

Без спойлеров.

Мы не рекомендуем пересказ аннотации или содержания.

Нельзя указывать ссылки на сторонние ресурсы и email адреса

Назад к написанию отзыва
×

С товаром «Investigation of Electrical Properties Of(p-N) Junction Porous Silicon» часто покупают

x

Если Вы обнаружили ошибку в описании товара «Investigation of Electrical Properties Of(p-N) Junction Porous Silicon» Salih Muna, Mohammed Alwan Alwan, Ahmed Naser Mahmoud, выделите её мышкой и нажмите: Ctrl+Enter. Спасибо!

©2006-2018, ООО «Буквоед»
8 800 250-06-18

Спасибо за ваше обращение.
Его номер - .

Ответ будет направлен на указанную почту в ближайшее время.

x
x