Наверх
Обратно
8 800 250-06-18
Менюx
КорзинаАвторизоватьсяНаши магазиныПомощь
Моя корзина: нет товаровx
Нет товаров
Оплата и доставка
x
Ваш город: Судоверфь, вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Вам доступны способы оплаты:
  • при получении заказа
  • предоплата: банковские карты, терминалы оплаты и многое другое
  • банковский перевод для физ. лиц
  • банковский перевод для юр. лиц
Авторизоваться
Судоверфь
x
Выбор города

Ваш город: Судоверфь ?

Ваш город: Судоверфьизменить )
Пункты самовывоза
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»

Quantum Ballistic Simulation of Nanoscale Double Gate Mosfet
Alamgir MD Imtiaz, Gulib Asad Ullah Hil, Ahmed Kazi Main Uddin

Вы можете заказать:
Подробнее о технологии 
Экономьте до 30% с бонусными баллами! При покупке вы получите
от 398 баллов
на свой бонусный счёт. Получить баллы и скидку
Вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Способы оплаты

Описание

The scaling of MOSFETs as dictated by the ITRS has continued unabated for many years and enabled the worldwide semiconductor market to grow at a phenomenal rate. However, the ITRS scaling is reaching hard limitations. One of the most significant problems is the maintenance of electrostatic integrity, which demands the use of extremely thin gate oxides to provide the required high gate capacitance, as well as the use of high channel doping to control short channel effects. These requirements lead to low device performance and tunneling current becomes quite prominent. This book introduces a promising solution to these problems, that is Double Gate MOSFET with high-k gate stack. This book provides an elaborate performance analysis of DG MOSFET with high-k material on both top and bottom gate stack in terms of drain current & subthreshold characteristics using 2D quantum simulator nanoMOS 4.0.
далее Читать
Свернуть
   Читать далее
Год:2012
Страниц:60
ISBN:9783659280450
Формат:22.9cm x 15.2cm x 0.4cm
Код:pod 6066782
Авторы:Ahmed, Alamgir, Asad, Gulib, Hil, Imtiaz, Kazi, Main, Md, Uddin, Ullah
Тематика:Энергетика, промышленность

Мнения и отзывы

Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы оставить отзыв и получить возможность заработать 15 бонусных баллов в бонусной программе
Оставить отзыв
Спасибо
за отзыв!
Отслеживать статус можно в
«Ваших отзывах».
Оставить отзыв
Quantum Ballistic Simulation of Nanoscale Double Gate Mosfet
Quantum Ballistic Simulation of Nanoscale Double Gate Mosfet
Alamgir MD Imtiaz, Gulib Asad Ullah Hil, Ahmed Kazi Main Uddin
 
Авторизуйтесь, чтобы оставить свой отзыв о товаре
Общее впечатление
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
0 букв

Отзыв длиной более 500 букв, который будет принят модератором, принесет вам 15 баллов для участия в нашей бонусной программе!

Отзыв должен быть уникальным и содержательным: нельзя копировать отзывы, мнения и информацию с других сайтов.

Не содержать нецензурную брань.

Отзыв должен относиться к товару, на который он написан.

Без спойлеров.

Мы не рекомендуем пересказ аннотации или содержания.

Нельзя указывать ссылки на сторонние ресурсы и email адреса

Назад к написанию отзыва
×

С товаром «Quantum Ballistic Simulation of Nanoscale Double Gate Mosfet» часто покупают

x

Если Вы обнаружили ошибку в описании товара «Quantum Ballistic Simulation of Nanoscale Double Gate Mosfet» Alamgir MD Imtiaz, Gulib Asad Ullah Hil, Ahmed Kazi Main Uddin, выделите её мышкой и нажмите: Ctrl+Enter. Спасибо!

©2006-2018, ООО «Буквоед»
8 800 250-06-18

Спасибо за ваше обращение.
Его номер - .

Ответ будет направлен на указанную почту в ближайшее время.

x
x