Modeling of Nanoscale Double-Gate and Gate-All-Around MOSFETs
Børli Håkon

Наверх
Обратно
8 800 250-06-18
Менюx
КорзинаАвторизоватьсяНаши магазиныПомощь
Моя корзина: нет товаровx
Нет товаров
Оплата и доставка
x
Ваш город: Вудбридж, вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Вам доступны способы оплаты:
  • при получении заказа
  • предоплата RBK: банковские карты, терминалы оплаты и многое другое
  • банковский перевод для физ. лиц
  • банковский перевод для юр. лиц
Авторизоваться
Вудбридж
x
Выбор города

Ваш город: Вудбридж ?

Ваш город: Вудбриджизменить )
Пункты самовывоза
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Вы можете заказать:
Подробнее о технологии 
Экономьте до 30% с бонусными баллами! При покупке вы получите
от 432 баллов
на свой бонусный счёт. Получить баллы и скидку
Вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Способы оплаты

Описание

A precise modeling framework for short-channel nanoscale double gate (DG) and gate-all-around (GAA) MOSFETs is presented. In the subthreshold regime, the modeling of the electrostatics of the DG MOSFET is based on a conformal mapping analysis. This analytical 2D solution of Laplace's equation gives the inter-electrode capacitive coupling. The GAA MOSFET is a 3D structure to which the 2D conformal mapping technique is not directly applicable. However, due to the structural similarities, the DG calculations can also be applied with a high degree of precision to the cylindrical GAA MOSFET by performing a simple geometric scaling transformation. Near and above threshold, self-consistent procedures invoking the the 2D/3D Poisson's equation in combination with boundary conditions and suitable modeling expressions are used to model the electrostatics of the two devices. The drain current is calculated as part of the self-consistent treatment, and based on the precise modeling of the 2D/3D electrostatics the intrinsic capacitances can also be extracted.
далее Читать
Свернуть
   Читать далее
Год:2014
Страниц:156
ISBN:9783639727326
Формат:22.9cm x 15.2cm x 0.8cm
Код:pod 6081573
Авторы:Hakon, Rli
Тематика:Энергетика, промышленность

Мнения и отзывы

Написать отзыв
 
Авторизуйтесь, чтобы оставить свой отзыв о товаре «Modeling of Nanoscale Double-Gate and Gate-All-Around MOSFETs» Børli Håkon
Содержательный отзыв длиною более 500 символов, который будет принят модератором, принесёт вам 15 баллов для участия в нашей бонусной программе!  
Правила начисления баллов за отзыв
1. Отзыв должен быть уникальным и содержательным;
2. Отзыв не должен содержать нецензурную брань;
3. Отзыв должен относиться к товару, на который он написан;
3.1 Мы не рекомендуем пересказ информации, указанной на странице товара, а также аннотации и содержания;
4. Запрещено в тексте указывать ссылки на сторонние ресурсы, а также адреса электронной почты;
5. Отзыв должен быть написан кириллицей;
6. Запрещено копировать отзывы, мнения и информацию с любых сайтов. Скопированные отзывы могут быть отклонены либо удалены - на усмотрение модератора;
7. Без спойлеров. Не надо рассказывать сюжет книги, многие хотели бы прочитать ее, не зная финала. Если вы всё-таки хотите написать полную историю, то мы будем благодарны, если в начале отзыва вы укажете {Внимание спойлеры};
8. При подсчете количества символов мы не учитываем пробелы, знаки препинания и так далее.

С товаром «Modeling of Nanoscale Double-Gate and Gate-All-Around MOSFETs» часто покупают

x

Если Вы обнаружили ошибку в описании товара «Modeling of Nanoscale Double-Gate and Gate-All-Around MOSFETs» Børli Håkon, выделите её мышкой и нажмите: Ctrl+Enter. Спасибо!

©2006-2018, ООО «Буквоед»
8 800 250-06-18

Спасибо за ваше обращение.
Его номер - .

Ответ будет направлен на указанную почту в ближайшее время.

x
x