Наверх
Обратно
8 800 250-06-18
Менюx
КорзинаАвторизоватьсяНаши магазиныПомощь
Моя корзина: нет товаровx
Нет товаров
Оплата и доставка
x
Ваш город: Судоверфь, вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Вам доступны способы оплаты:
  • при получении заказа
  • предоплата: банковские карты, терминалы оплаты и многое другое
  • банковский перевод для физ. лиц
  • банковский перевод для юр. лиц
Авторизоваться
Судоверфь
x
Выбор города

Ваш город: Судоверфь ?

Ваш город: Судоверфьизменить )
Пункты самовывоза
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»

Ultra-fast Microwave Annealing of Silicon Carbide and Gallium Nitride
Sundaresan Siddarth, V. Rao Mulpuri

Вы можете заказать:
Подробнее о технологии 
Экономьте до 30% с бонусными баллами! При покупке вы получите
от 449 баллов
на свой бонусный счёт. Получить баллы и скидку
Вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Способы оплаты

Описание

A novel solid-state microwave annealing technique is developed for post-implantation annealing of silicon carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN), and for the controlled growth of SiC nanowires. This technique is capable of heating SiC samples to temperatures in excess of 2100 ºC, at ultra-fast temperature ramping rates > 600 ºC/s. For phosphorus and aluminum implanted SiC, sheet resistances as low as 14 Ω/sq and 1.9 kΩ/sq and majority carrier mobilities as high as 100 cm2/Vs and 8.3 cm2/Vs, respectively, are obtained. For the Al+ -implanted SiC, hole mobilties as high as 8.3 cm2/Vs is obtained. These values constitute the best ever reported electrical characteristics for high-dose ion-implanted SiC. Microwave annealing of in-situ as well as ion-implantation acceptor doped GaN was performed in the temperature range of 1200 ºC - 1600 ºC, for a duration of 5 s, using different protective caps (AlN, MgO, graphite). A patented, metal catalyst assisted sublimation sandwich method is invented for the growth of microwave-heating assisted cubic 3C-SiC nanowires.
далее Читать
Свернуть
   Читать далее
Год:2015
Страниц:196
ISBN:9783659662188
Формат:22.9cm x 15.2cm x 1cm
Код:pod 6084389
Авторы:Mulpuri, Rao, Siddarth, Sundaresan
Тематика:Энергетика, промышленность

Мнения и отзывы

Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы оставить отзыв и получить возможность заработать 15 бонусных баллов в бонусной программе
Оставить отзыв
Спасибо
за отзыв!
Отслеживать статус можно в
«Ваших отзывах».
Оставить отзыв
Ultra-fast Microwave Annealing of Silicon Carbide and Gallium Nitride
Ultra-fast Microwave Annealing of Silicon Carbide and Gallium Nitride
Sundaresan Siddarth, V. Rao Mulpuri
 
Авторизуйтесь, чтобы оставить свой отзыв о товаре
Общее впечатление
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
0 букв

Отзыв длиной более 500 букв, который будет принят модератором, принесет вам 15 баллов для участия в нашей бонусной программе!

Отзыв должен быть уникальным и содержательным: нельзя копировать отзывы, мнения и информацию с других сайтов.

Не содержать нецензурную брань.

Отзыв должен относиться к товару, на который он написан.

Без спойлеров.

Мы не рекомендуем пересказ аннотации или содержания.

Нельзя указывать ссылки на сторонние ресурсы и email адреса

Назад к написанию отзыва
×

С товаром «Ultra-fast Microwave Annealing of Silicon Carbide and Gallium Nitride» часто покупают

x

Если Вы обнаружили ошибку в описании товара «Ultra-fast Microwave Annealing of Silicon Carbide and Gallium Nitride» Sundaresan Siddarth, V. Rao Mulpuri, выделите её мышкой и нажмите: Ctrl+Enter. Спасибо!

©2006-2018, ООО «Буквоед»
8 800 250-06-18

Спасибо за ваше обращение.
Его номер - .

Ответ будет направлен на указанную почту в ближайшее время.

x
x