Наверх
Обратно
8 800 250-06-18
Менюx
КорзинаАвторизоватьсяНаши магазиныПомощь
Моя корзина: нет товаровx
Нет товаров
Оплата и доставка
x
Ваш город: Судоверфь, вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Вам доступны способы оплаты:
  • при получении заказа
  • предоплата: банковские карты, терминалы оплаты и многое другое
  • банковский перевод для физ. лиц
  • банковский перевод для юр. лиц
Авторизоваться
Судоверфь
x
Выбор города

Ваш город: Судоверфь ?

Ваш город: Судоверфьизменить )
Пункты самовывоза
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»

Nano Laalo3 & Simulation Comparisons of High K Dielectric Mosfets
Maramraju Venkata Manasa, Kalagadda Bikshalu

Вы можете заказать:
Подробнее о технологии 
Экономьте до 30% с бонусными баллами! При покупке вы получите
от 423 баллов
на свой бонусный счёт. Получить баллы и скидку
Вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Способы оплаты

Описание

The continued scaling of CMOS transistor requires replacement of the conventional silica gate oxide (SiO2) with a higher dielectric constant (K) gate dielectric to minimize the leakage current and to maintain a high capacitance especially at nano level to escape Quantum Mechanical Tunneling. Among many contenders, La2O3 is believed to be the suitable successor but the lanthanide oxides are known to be hygroscopic, which can affect their dielectric quality. Hence, we present a work on mixing the lanthanum oxide (or lanthana) with a less hygroscopic oxide such as Al2O3 to stabilize the insulator layer. Lanthanum Aluminate (LaAlO3) is much less susceptible to moisture. It also combines the advantages of the high dielectric constant of La2O3 and the chemical and thermal stability of Al2O3. Synthesis of Lanthanum Aluminate nano particles is done by Gelation-Precipitation method and are characterized by XRD, PSA, UV-Vis, TG/DTA, SEM, TEM and LCR-meter. The SiO2, La2O3, LaAlO3 are simulated, the reduction in leakage current of MOSFET using nano Silica, nano Lanthana and nano Lanthanum Aluminate insulator is studied using Quantum Wise-Virtual Nano Lab and Nextnano software tools.
далее Читать
Свернуть
   Читать далее
Год:2014
Страниц:120
ISBN:9783659304149
Формат:22.9cm x 15.2cm x 0.7cm
Код:pod 6086449
Авторы:Bikshalu, Kalagadda, Manasa, Maramraju, Venkata
Тематика:Техническая литература

Мнения и отзывы

Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы оставить отзыв и получить возможность заработать 15 бонусных баллов в бонусной программе
Оставить отзыв
Спасибо
за отзыв!
Отслеживать статус можно в
«Ваших отзывах».
Оставить отзыв
Nano Laalo3 & Simulation Comparisons of High K Dielectric Mosfets
Nano Laalo3 & Simulation Comparisons of High K Dielectric Mosfets
Maramraju Venkata Manasa, Kalagadda Bikshalu
 
Авторизуйтесь, чтобы оставить свой отзыв о товаре
Общее впечатление
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
0 букв

Отзыв длиной более 500 букв, который будет принят модератором, принесет вам 15 баллов для участия в нашей бонусной программе!

Отзыв должен быть уникальным и содержательным: нельзя копировать отзывы, мнения и информацию с других сайтов.

Не содержать нецензурную брань.

Отзыв должен относиться к товару, на который он написан.

Без спойлеров.

Мы не рекомендуем пересказ аннотации или содержания.

Нельзя указывать ссылки на сторонние ресурсы и email адреса

Назад к написанию отзыва
×
x

Если Вы обнаружили ошибку в описании товара «Nano Laalo3 & Simulation Comparisons of High K Dielectric Mosfets» Maramraju Venkata Manasa, Kalagadda Bikshalu, выделите её мышкой и нажмите: Ctrl+Enter. Спасибо!

©2006-2018, ООО «Буквоед»
8 800 250-06-18

Спасибо за ваше обращение.
Его номер - .

Ответ будет направлен на указанную почту в ближайшее время.

x
x