Наверх
Обратно
8 800 250-06-18
Менюx
КорзинаАвторизоватьсяНаши магазиныПомощь
Моя корзина: нет товаровx
Нет товаров
Оплата и доставка
x
Ваш город: Судоверфь, вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Вам доступны способы оплаты:
  • при получении заказа
  • предоплата: банковские карты, терминалы оплаты и многое другое
  • банковский перевод для физ. лиц
  • банковский перевод для юр. лиц
Авторизоваться
Судоверфь
x
Выбор города

Ваш город: Судоверфь ?

Ваш город: Судоверфьизменить )
Пункты самовывоза
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Вы можете заказать:
Подробнее о технологии 
Экономьте до 30% с бонусными баллами! При покупке вы получите
от 398 баллов
на свой бонусный счёт. Получить баллы и скидку
Вам доступны способы доставки:
  • отправка Почтой РФ (от 200 руб)
Способы оплаты

Описание

Resistive Random Access Memory (RRAM) is a transistor free non-volatile dynamic RAM cell with very simple Metal-Insulator-Metal (MIM) structure and very high switching speed and high density memories. Different types of oxides like Transition Metal Oxides, Perovskite Oxides etc are used as the insulating dielectric layer of the capacitor like MIM structure. This ion-conducting oxide insulating layer can change its resistance by externally stimulated electric pulses with different amplitude and frequency. The steps precondition the system which can subsequently be switched between high conductive ON or Low Resistive State (LRS) and a less conductive OFF or High Resistive State (HRS). In this experimental study Sol-gel derived Titanium Dioxide (TiO2) is considered as the ion conducting insulating dielectric material of this RRAM device. Pd (Ag)/TiO2 /Pd (Ag) Metal-Insulator-Metal structure for RRAM devices have been designed and fabricated and studied in this book. Different analytical models and explanations to establish the mechanism behind the Transition metal oxide based RRAM device and Resistive Switching phenomenon are the addition features of this book.
далее Читать
Свернуть
   Читать далее
Год:2012
Страниц:96
ISBN:9783848488322
Формат:22.9cm x 15.2cm x 0.5cm
Код:pod 6091577
Авторы:Arnab, Hazra
Тематика:Энергетика, промышленность

Мнения и отзывы

Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь на сайте, чтобы оставить отзыв и получить возможность заработать 15 бонусных баллов в бонусной программе
Оставить отзыв
Спасибо
за отзыв!
Отслеживать статус можно в
«Ваших отзывах».
Оставить отзыв
Resistive Random Access Memory
Resistive Random Access Memory
Arnab Hazra
 
Авторизуйтесь, чтобы оставить свой отзыв о товаре
Общее впечатление
Вам нравится эта книга?  
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесьна сайте, чтобы получить доступ к уникальному рекомендательному сервису «Буквоеда»
0 букв

Отзыв длиной более 500 букв, который будет принят модератором, принесет вам 15 баллов для участия в нашей бонусной программе!

Отзыв должен быть уникальным и содержательным: нельзя копировать отзывы, мнения и информацию с других сайтов.

Не содержать нецензурную брань.

Отзыв должен относиться к товару, на который он написан.

Без спойлеров.

Мы не рекомендуем пересказ аннотации или содержания.

Нельзя указывать ссылки на сторонние ресурсы и email адреса

Назад к написанию отзыва
×

С товаром «Resistive Random Access Memory» часто покупают

x

Если Вы обнаружили ошибку в описании товара «Resistive Random Access Memory» Arnab Hazra, выделите её мышкой и нажмите: Ctrl+Enter. Спасибо!

©2006-2018, ООО «Буквоед»
8 800 250-06-18

Спасибо за ваше обращение.
Его номер - .

Ответ будет направлен на указанную почту в ближайшее время.

x
x