Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхем в монолитном и гибридном

Нет оценок

Нет отзывов

Аннотация

В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Подробно изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП- и КМОП-интегральных микросхем, так как в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях.
Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также для специалистов, интересующихся повышением надежности и радиационной стойкости ИМС.
Издательство
ПереплетТвёрдый переплёт
Страниц208
Год, тираж2013

Не в наличии

Отзывы

0

Уже читали эту книгу? Поделитесь вашим мнением!

Написать отзыв

Описание и характеристики

В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Подробно изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП- и КМОП-интегральных микросхем, так как в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях.
Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также для специалистов, интересующихся повышением надежности и радиационной стойкости ИМС.
Код2654553
Издательство
Автор
ПереплетТвёрдый переплёт
Кол-во страниц208
Год издания2013
РазделАвтоматика. Радиоэлектроника. Связь
Размеры1.1 см × 13.5 см × 20.6 см
Вес0.26 кг
В магазине «Буквоед» закончилась книга «Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхем в монолитном и гибридном» от автора Попов Владимир Данилович. Когда книга снова поступит в продажу, можно будет сделать заказ из любого города России: от Санкт-Петербурга и Москвы до Казани и Краснодара. Дождитесь, пока появится надпись «Купить», чтобы получить «Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхем в монолитном и гибридном» в магазине сети или заказать доставку. Мы и сами любим читать, поэтому делаем всё, чтобы вы могли купить понравившуюся историю по приятной цене. Например, организуем конкурсы и проводим акции. Оставайтесь с нами, чтобы не упустить выгоду!