Нет отзывов
Аннотация
| Издательство | |
|---|---|
| Переплет | Твёрдый переплёт |
| Страниц | 360 |
| Год, тираж | 2020 |
Не в наличии
Отзывы
0Описание и характеристики
Рассматриваются физико-математические основы моделирования процессов кристаллизации, методические аспекты и конкретные приложения. Построена универсальная, геометрико-топологическая модель возникновения, отбора и эволюции кластерных субструктурных единиц в неравновесных процессах кристаллообразования элементных и оксидных соединений. Модель использована для анализа механизма матричной сборки различного типа периодических структур: элементных соединений (включая фуллерены С60 и С70, оксидов металлов, германатов и силикатов). При переходе на более высокий уровень структурной самоорганизации системы моделирование трехмерной сетки связей в формирующихся кристаллических структурах проводится с использованием принципа максимального, комплементарного связывания предшественников.
Для специалистов в области кристаллографии, физики твердого тела, роста кристаллов и материаловедения, для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
Для специалистов в области кристаллографии, физики твердого тела, роста кристаллов и материаловедения, для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
| Код | 2782747 |
|---|---|
| Издательство | |
| Переплет | Твёрдый переплёт |
| Кол-во страниц | 360 |
| Год издания | 2020 |
| ISBN | 978-5-354-01676-1 |
| Раздел | Физика. Механика |
| Размеры | 2 см × 15 см × 22.2 см |
| Вес | 0.51 кг |