МОС-гидридная эпитаксия в технологии материаловфотоники и электроники

—

Нет оценок

Нет отзывов

Аннотация

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Издательство
Страниц488
Год, тираж2020, 100 экз.
1 559 ₽1 299 ₽-17%

Последний экземпляр

как получить заказ

Послезавтра, 17 сентября — бесплатно
  • В пт, 18 сентября — от 246 ₽
  • КурьеромВ пт, 18 сентября — от 317 ₽
  • Почтой РоссииВ сб, 19 сентября — от 582 ₽

Отзывы

0

Уже читали эту книгу? Поделитесь вашим мнением!

Описание и характеристики

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Код3044774
Издательство
Автор
Кол-во страниц488
Год издания2020
Тираж100 экз.
ISBN978-5-94836-521-3
РазделХимия
Размеры2.5 см × 17.5 см × 24 см
Вес0.76 кг
В интернет-магазине «Буквоед» есть книга «МОС-гидридная эпитаксия в технологии материаловфотоники и электроники» от автора Мармалюк Александр Анатольевич. Сделать заказ можно из любого города России: от Санкт-Петербурга и Москвы до Казани и Краснодара. Получите «МОС-гидридная эпитаксия в технологии материаловфотоники и электроники» в магазине сети или закажите доставку. Мы и сами любим читать, поэтому делаем всё, чтобы вы могли купить понравившуюся историю по приятной цене. Например, организуем конкурсы и проводим акции. Оставайтесь с нами, чтобы не упустить выгоду!