Нет отзывов
Купили 3 человека
Аннотация
| Серия | Мир радиоэлектроники |
|---|---|
| Издательство | |
| Страниц | 384 |
| Год, тираж | 2019, 1 500 экз. |
1 049 ₽1 238 ₽
-15%
Последний экземпляр
как получить заказ
В магазинах сетиВо вт, 31 марта — бесплатно
- В пунктах выдачиВ ср, 1 апреля — от 304 ₽
- КурьеромВ ср, 1 апреля — от 316 ₽
- Почтой РоссииВ чт, 2 апреля — от 572 ₽
Отзывы
0Описание и характеристики
Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы.
.Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовлением приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
| Код | 2623768 |
|---|---|
| Издательство | |
| Серия | Мир радиоэлектроники |
| Кол-во страниц | 384 |
| Год издания | 2019 |
| Тираж | 1 500 экз. |
| ISBN | 978-5-94-836293-9 |
| Раздел | Автоматика. Радиоэлектроника. Связь |
| Размеры | 2.2 см × 17.6 см × 24.6 см |
| Вес | 0.65 кг |